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ROHM QH8K22TCR MOSFET, DUAL, CAN N, 40V, 6.5A, 150°C
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3934698
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
QH8K22TCR
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.5 A Resistenza RdsON canale N 0.035 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.035 ohm Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P 2.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Semiconduttori - Discreti
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Transistori a Effetto di Campo (FET)
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MOSFET Doppi
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transistor a effetto campo
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(FET)
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ROHM
,
QH8K22TCR
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3934698
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393-4698
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