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ROHM QH8K22TCR MOSFET, DUAL, CAN N, 40V, 6.5A, 150°C


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N. Articolo:
     8585-3934698
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     QH8K22TCR
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6.5 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.5 A Resistenza RdsON canale N 0.035 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.035 ohm Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P 2.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, QH8K22TCR, 3934698, 393-4698
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