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Articolo
ROHM RRR030P03HZGTL MOSFET, CAN P, 30V, 3A, 150°C, 1W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3934712
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
RRR030P03HZGTL
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.055 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-346T Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 1 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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(FET)
,
Campo
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Semiconduttori
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Transistori
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ROHM
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RRR030P03HZGTL
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3934712
,
393-4712
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