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Articolo
ROHM SH8J65TB1 MOSFET, DUAL, CAN P, 30V, 7A, 150°C, 2W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3934724
Produttore:
ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
SH8J65TB1
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 7 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 7 A Resistenza RdsON canale N 0.0215 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.0215 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Doppi
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
,
Doppi
,
Effetto
,
Semiconduttori
,
Transistori
,
ROHM
,
SH8J65TB1
,
3934724
,
393-4724
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