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ROHM SCT4026DEC11 MOSFET, SIC, CAN N, 750V, 56A, TO-247N


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N. Articolo:
     8585-3935377
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SCT4026DEC11
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.026 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 56 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 750 V Dissipazione di potenza 176 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT4026DEC11, 3935377, 393-5377
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