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INFINEON S80KS5122GABHI020 DRAM, 512MBIT, -40/85°C


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3935567
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     S80KS5122GABHI020
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Circuiti
DRAM
integrati
Memorie
Tensione di Alimentazione Nom 1.8 V Tipo DRAM HyperRAM Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) - Numero di pin 24 Pin Package/case del circuito integrato FBGA Densità di Memoria 512 Mbit Temperatura di esercizio max 85 °C Montaggio CI montaggio superficiale Configurazione di memoria 64M x 8 bit Temperatura di esercizio min -40 °C Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) Frequenza di Clock Max 200 MHz
Riepilogo condizioni1
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