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RENESAS N0602N-S19-AY MOSFET, CANALE N, 60V, 100A, TO-220AB


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3941834
Produttore:
     Renesas
N. Art. Produtt.:
     N0602N-S19-AY
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0037 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220AB Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 156 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, RENESAS, N0602N-S19-AY, 3941834, 394-1834
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