DIODES INC. DMP2022LSSQ-13 MOSFET, CANALE P, 20V, 9.3A, SOIC

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.008 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 9.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.6 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 770 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)