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DIODES INC. DMT10H010SPS-13 MOSFET, CAN N, 100V, 113A, POWERDI 5060


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N. Articolo:
     8585-3943845
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMT10H010SPS-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0066 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 113 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerDI 5060 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 1.2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMT10H010SPS-13, 3943845, 394-3845
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