DIODES INC. DMT68M8LSS-13 MOSFET, CANALE N, 60V, 28.9A, SOIC

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0067 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 28.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1.3 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)