Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3943922 N. Art. Produtt.:
DMTH6009LK3-13 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0083 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 59 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 3.2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., DMTH6009LK3-13, 3943922, 394-3922 |
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