Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3943966 N. Art. Produtt.:
ZXM62P02E6TA EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.2 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 2.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-26 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.1 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 700 mV Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, DIODES INC., ZXM62P02E6TA, 3943966, 394-3966 |
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