Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3944011 N. Art. Produtt.:
BSS138DWQ-13 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione drain-source (Vds) canale N 50 V Corrente di drain continua (Id) canale P 200 mA Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 50 V Corrente di drain continua (Id) canale N 200 mA Resistenza RdsON canale N 1.4 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 1.4 ohm Dissipazione di potenza canale N 200 mW Dissipazione di potenza canale P 200 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-363 Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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| Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., BSS138DWQ-13, 3944011, 394-4011 |
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