DIODES INC. DMG4822SSDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 30V, 10A

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 10 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 10 A Resistenza RdsON canale N 0.0134 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0134 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.42 W Dissipazione di potenza canale P 1.42 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)