Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3944088 N. Art. Produtt.: DMN12M7UCA10-7 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 12 V Corrente di drain continua (Id) canale P 20.2 A Gamma di prodotti - Numero di pin 10 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 12 V Corrente di drain continua (Id) canale N 20.2 A Resistenza RdsON canale N 0.00219 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.00219 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.73 W Dissipazione di potenza canale P 1.73 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor X4-DSN3015 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, DIODES INC., DMN12M7UCA10-7, 3944088, 394-4088 |
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