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DIODES INC. DMN2016UTS-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 20V, 8.58A


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N. Articolo:
     8585-3944091
Produttore:
     Diodes
N. Art. Produtt.:
     DMN2016UTS-13
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione drain-source (Vds) canale N 20 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8.58 A Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 20 V Corrente di drain continua (Id) canale N 8.58 A Resistenza RdsON canale N 0.011 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.011 ohm Dissipazione di potenza canale N 880 mW Dissipazione di potenza canale P 880 mW Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSSOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, DIODES INC., DMN2016UTS-13, 3944091, 394-4091
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