DIODES INC. DMP3056LSDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN P, 30V, 6.9A

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6.9 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6.9 A Resistenza RdsON canale N 0.045 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.045 ohm Dissipazione di potenza canale N 2.5 W Dissipazione di potenza canale P 2.5 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)