DIODES INC. DMT10H017LPD-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 100V, 54.7A

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 54.7 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 54.7 A Resistenza RdsON canale N 0.0137 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.0137 ohm Dissipazione di potenza canale N 78 W Dissipazione di potenza canale P 78 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerDI5060 Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)