DIODES INC. DMTH6016LSDQ-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 60V, 7.6A

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 7.6 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 7.6 A Resistenza RdsON canale N 0.015 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.015 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.9 W Dissipazione di potenza canale P 1.9 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)