DIODES INC. ZXMS6004DN8Q-13 MOSFET, DOPPIO, CAN N, 60V, 1.2A

Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 1.2 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 1.2 A Resistenza RdsON canale N 0.35 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.35 ohm Dissipazione di potenza canale N 1.56 W Dissipazione di potenza canale P 1.56 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)