Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3957620 N. Art. Produtt.:
R6020YNXC7G EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.154 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 12 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FM Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 62 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: mosfet 12a, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6020YNXC7G, 3957620, 395-7620 |
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