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ROHM SH8K25GZ0TB1 MOSFET, DOPPIO CANALE N, 40V, 3W, SOP


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N. Articolo:
     8585-3976637
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     SH8K25GZ0TB1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione drain-source (Vds) canale N 40 V Corrente di drain continua (Id) canale P 5.2 A Gamma di prodotti - Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 40 V Corrente di drain continua (Id) canale N 5.2 A Resistenza RdsON canale N 0.06 ohm Tipo di canale canale N Resistenza RdsON canale P 0.06 ohm Dissipazione di potenza canale N 3 W Dissipazione di potenza canale P 3 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOP Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, ROHM, SH8K25GZ0TB1, 3976637, 397-6637
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