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Transistor a effetto campo
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Articolo
TOSHIBA TK25E60X,S1X(S MOSFET, CANALE N, 600V, 25A, TO-220
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3977634
Produttore:
Toshiba
N. Art. Produtt.:
TK25E60X,S1X(S
EAN/GTIN:
n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-220 Corrente Continua di Drain Id 25 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 180 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.105 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
transistor a effetto campo
,
(FET)
,
Campo
,
Discreti
,
Effetto
,
Semiconduttori
,
Singoli
,
Transistori
,
TOSHIBA
,
TK25E60X,S1X(S
,
3977634
,
397-7634
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