Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-3996606 N. Art. Produtt.: IXFP26N65X2 EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.13 ohm Gamma di prodotti HiPerFET Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-220 Corrente Continua di Drain Id 26 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 460 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, LITTELFUSE, IXFP26N65X2, 3996606, 399-6606 |
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