VISHAY SQJ184EP-T1_GE3 AUTOMOTIVE N-CH 80 V (D-S) MOSFET

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0075 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 118 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO-8L Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 234 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised