Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 8585-4014229 N. Art. Produtt.: UF3C065030K3S EAN/GTIN: n.d. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.027 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 85 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 441 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Diodo Schottky, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, MOSFET, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, QORVO, UF3C065030K3S, 4014229, 401-4229 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |