Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4014237 N. Art. Produtt.:
UF3C065080B3 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.08 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor D2PAK Corrente Continua di Drain Id 25 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 115 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Diodo Schottky, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, MOSFET, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, QORVO, UF3C065080B3, 4014237, 401-4237 |
| | |
| |