Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4014239 N. Art. Produtt.:
UF3C065080K4S EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.08 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 31 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 190 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Diodo Schottky, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, MOSFET, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, QORVO, UF3C065080K4S, 4014239, 401-4239 |
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