Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4014253 N. Art. Produtt.:
UF3SC120016K4S EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.016 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 107 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 517 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, Diodo Schottky, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, MOSFET, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, QORVO, UF3SC120016K4S, 4014253, 401-4253 |
| | |
| |