VISHAY SIS4604LDN-T1-GE3 MOSFET, CAN N, 60V, 45.9A, POWERPAK 1212

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0074 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 45.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212 Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 33.7 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised