TOSHIBA TK10J80E,S1E(S MOSFET, N-CH, 800V, 10A, TO-3P

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.7 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 10 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-3P Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 250 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised