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ONSEMI NTH4L075N065SC1 MOSFET SIC, CANALE N, 650V, 38A, TO-247


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N. Articolo:
     8585-4036814
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NTH4L075N065SC1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.057 ohm Gamma di prodotti EliteSiC Series Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 38 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 148 W Tensione di soglia Gate-Source massima 2.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (27-Jun-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ONSEMI, NTH4L075N065SC1, 4036814, 403-6814
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