Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4064767 N. Art. Produtt.: SCT4045DEHRC11 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 34 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247N Tensione Drain Source Vds 750 V Dissipazione di potenza 115 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT4045DEHRC11, 4064767, 406-4767 |
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