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STARPOWER GD50PJX65L3S MODULO IGBT, 650V, 91A, 264W


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Informazioni sul prodotto
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4076257
Produttore:
     STARPOWER
N. Art. Produtt.:
     GD50PJX65L3S
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Modulo IGBT
Moduli IGBT
Transistor di potenza
Transistori
Gamma di prodotti - Massima tensione Collettore-Emettitore 650 V Stile di Case del Transistor modulo Corrente di Collettore continua 91 A Temperatura di esercizio max 150 °C Terminazione IGBT a saldare Tensione di saturazione Collettore-Emettitore 1.45 V Dissipazione di potenza 264 W Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tecnologia Transistore IGBT Trench Field Stop Montaggio Transistore modulo Configurazione Transistore IGBT raddrizzatore di ingresso trifase PIM
Altri termini di ricerca: Transistore, transistor di potenza, (IGBT), Bipolari, Discreti, Gate, IGBT, Isolato, Moduli, Semiconduttori, STARPOWER, GD50PJX65L3S, 4076257, 407-6257
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