ONSEMI NTBG028N170M1 MOSFET, SIC, 1.7KV, 71A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 71 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.7 kV Dissipazione di potenza 428 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)