Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4079788 N. Art. Produtt.: NTBG028N170M1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 20 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 71 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.7 kV Dissipazione di potenza 428 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ONSEMI, NTBG028N170M1, 4079788, 407-9788 |
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