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INFINEON IPA95R130PFD7XKSA1 MOSFET, N-CH, 13.9A, TO-220FP


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Informazioni sul prodotto

N. Articolo:
     8585-4125832
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPA95R130PFD7XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.1 ohm Gamma di prodotti CoolMOS PFD7 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 13.9 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 950 V Dissipazione di potenza 33 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPA95R130PFD7XKSA1, 4125832, 412-5832
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