Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N. Articolo: 8585-4125841 N. Art. Produtt.: IPP026N04NF2SAKMA1 EAN/GTIN: n.d. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0021 ohm Gamma di prodotti StrongIRFET 2 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 121 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 150 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPP026N04NF2SAKMA1, 4125841, 412-5841 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |