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INFINEON IQE050N08NM5CGSCATMA1 MOSFET, N-CH, 99A, TFN


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N. Articolo:
     8585-4125853
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IQE050N08NM5CGSCATMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0043 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Series Numero di pin 9 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 99 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TFN Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 100 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IQE050N08NM5CGSCATMA1, 4125853, 412-5853
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