Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4134206 N. Art. Produtt.:
IPTG039N15NM5ATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Gamma di prodotti OptiMOS Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 190 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor HSOG Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 319 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPTG039N15NM5ATMA1, 4134206, 413-4206 |
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