Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4134234 N. Art. Produtt.: IPF023N08NF2SATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.002 ohm Gamma di prodotti StronglRFET Series Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 209 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 214 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, IPF023N08NF2SATMA1, 4134234, 413-4234 |
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