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STMICROELECTRONICS STP65N150M9 MOSFET, CANALE N, 650V, 20A, TO-220


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4142508
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP65N150M9
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.128 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 140 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STP65N150M9, 4142508, 414-2508
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