Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4145209 N. Art. Produtt.: SCT3105KRC15 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.105 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 4 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-247 Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 175 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 134 W Tensione di soglia Gate-Source massima 5.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, SCT3105KRC15, 4145209, 414-5209 |
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