Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4145312 N. Art. Produtt.: R6013VND3TL1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-252 Corrente Continua di Drain Id 13 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 131 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 6.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6013VND3TL1, 4145312, 414-5312 |
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