TOSHIBA XPQ1R004PB,LXHQ(O MOSFET, CANALE N, 40V, 200A, L-TOGL

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 800 µohm Gamma di prodotti U-MOSIX-H Series Numero di pin 9 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 200 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor L-TOGL Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 230 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised