ROHM RD3P03BBHTL1 MOSFET, CANALE N, 100V, 35A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.018 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Corrente Continua di Drain Id 35 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 50 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised