Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4168759 N. Art. Produtt.: BSM450D12P4G102 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) - Resistenza Drain-Source in conduzione - Gamma di prodotti - Numero di pin 11 Pin Configurazione modulo MOSFET mezzo ponte Tipo di canale doppio canale N Stile di Case del Transistor Module Corrente Continua di Drain Id 447 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 1.45 kW Tensione di soglia Gate-Source massima 4.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ROHM, BSM450D12P4G102, 4168759, 416-8759 |
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