Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4168766 N. Art. Produtt.: R6020YNX3C16 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 12 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.154 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-220AB Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 182 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, R6020YNX3C16, 4168766, 416-8766 |
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