YAGEO XSEMI XP3P010M MOSFET, P-CH, 30V, 13.3A, SO-8

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.01 ohm Gamma di prodotti XP3P010 Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Stile di Case del Transistor SOIC Corrente Continua di Drain Id 13.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 30 V Dissipazione di potenza 2.5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised