Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-4168985 N. Art. Produtt.: XP10N3R5XT EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0035 ohm Gamma di prodotti XP10N3R5 Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PMPAK Corrente Continua di Drain Id 142 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP10N3R5XT, 4168985, 416-8985 |
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