YAGEO XSEMI XP4509AGM MOSFET, N & P-CH, 30V, 11.2A, SOIC

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8 A Gamma di prodotti XP4509A Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 11.2 A Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N e P Resistenza RdsON canale P 0.021 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised