Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4169017 N. Art. Produtt.: XP4509AGM EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 8 A Gamma di prodotti XP4509A Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 11.2 A Resistenza RdsON canale N 0.01 ohm Tipo di canale canale N e P Resistenza RdsON canale P 0.021 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Doppi, Effetto, Semiconduttori, Transistori, YAGEO XSEMI, XP4509AGM, 4169017, 416-9017 |
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