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ROHM GNP1070TC-ZE2 TRANSISTORE, GAN, 650V, 20A, DFN8080K


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-4172944
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     GNP1070TC-ZE2
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistori
Transistore
Resistenza Drain-Source in conduzione 0.07 ohm Carica di gate tipica 5.2 nC Gamma di prodotti - Stile di Case del Transistor DFN8080K Corrente Continua di Drain Id 20 A Tensione Drain Source Vds 650 V Numero di pin 8 Pin Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), (GaN), Campo, Discreti, Effetto, Nitruro, Semiconduttori, ROHM, GNP1070TC-ZE2, 4172944, 417-2944
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